中芯国际38nm NAND闪存工艺打破国际垄断散热器

　　中芯国际的38nm闪存主要面打孔向嵌入式产品、移动计算、物联网(IOT)、电视及机顶盒等应用领域，也可用于串行外设接口SPI NAND。

　　在此之前，中芯国际已经连续开发出了130nm、65nm等工艺的特殊NOR闪存平台，后续还会继续研发2x/1xnm NAND、3D NAND等先进工艺。

　　虽然中芯国际的技术和当前国际主流的20/1油脂设备9nm NAND闪存差了一大截，东芝、美光等的16/15nm NAND也都开始量产了，但这毕竟是中芯国际的第一次，实现了巨大的飞跃，打破了国际垄断，后续也值得期待。