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Vishay推出先进的30 V N沟道MOSFET,进一步提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效聚脂

文章来源:国汇机械网  |  2022-12-09

Vishay推出先进的30 V N沟道MOSFET,进一步提升隔离和非隔离热风机拓扑结构功率密度和能效

日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)推出多功能新型30Vn沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN,提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。Vishay吴忠SiliconixSiSS52DN采用热增强注塑机械型3.3mmx3.3mmPowerPAK®1212-8S封装,10V条件下导通电阻仅为0.95mW,比上一代产品低5%。此外,4.5V条件下器件导通电阻为1.5mW,而4.5V条件下导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为29.8mW*nC,是市场上优值系数最低的产品之一。

SiSS52DN的FOM比上一代器件低29%,从而降低导通和开关损耗,节省功率转换应用的能源。

SiSS52DN适用于同步整流、陇南同步降压转换器、DC/DC转换器、开关柜拓扑结构、OR-ringFET低边开关,以及服务器、通信和RF设备电源的负载切换。MOSFET可提高隔离和非隔离拓扑结构的性能,简化设计人员两种电路的器件选择。

器件经过100%RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

SiSS52DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。

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